Estudo do Semicondutor de gap Largo - AlN

Autores/as

  • kalyana gianello santini UEMS

Resumen

Estudo das propriedades eletrônicas e vibracionais do AlN, com a inclusão de uma vacância.

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Publicado

2015-10-21

Número

Núm. 3 (2011): ANAIS DO 9º ENIC

Sección

CIÊNCIAS EXATAS E DA TERRA

Cómo citar

Estudo do Semicondutor de gap Largo - AlN. (2015). ANAIS DO ENIC, 1(3). https://anaisonline.uems.br/enic/article/view/1507