CARACTERIZAÇÃO TEÓRICA DO COMPORTAMENTO DOS FÔNONS EM GAMA DO INGAAS CÚBICO - Prates, Brenda Camila Rodrigues; Santos, Adriano Manoel dos (ANAIS DO ENIC, 2015)
Os compostos InAs, AlAs e GaAs são binários de estrutura cristalina comumente utilizados como materiais de substrato no crescimento epitaxial de semicondutores, como o índio arseneto de gálio (InGaAs); arseneto de gálio alumínio (AlGaAs); entre outros, para a fabricação de dispositivos optoeletrônicos. Quando comparados com os dispositivos feitos à base de silício, os arsenetos podem apresentar vantagens em suas propriedades eletrônicas. O objetivo deste trabalho é o estudo das propriedades vibracionais de tais compostos, através da utilização da Teoria Clássica do Cristal Harmônico. Tal teoria, juntamente com métodos como o Valence Force Field e a Soma de Ewald permitem a determinação da matriz dinâmica, estabelecendo assim, o comportamento vibracional dos arsenetos binários e das ligas ternárias. Um método semi-empírico é apresentado e comparado com outros métodos conhecidos, como o “Random Element Isodisplacement”, como alternativa para obtenção da descrição do comportamento de vibração da liga. Foram analisados e interpretados dados experimentais disponíveis na literatura relativos às propriedades vibracionais para os binários GaAs, InAs e o ternário InGaAs.