SIMULAÇÃO DA ESTRUTURA ELETRÔNICA E VIBRACIONAL DE SI CÚBICO DOPADO - Santini, Kalyana Gianello; dos Santos, Adriano Manoel (ANAIS DO ENIC, 2015)
Semicondutores são sólidos que no estado fundamental apresentam os estados de energia da banda de valência totalmente preenchidos. O estudo deste tipo de material pode ser utilizado para o desenvolvimento de novos materiais para a indústria tecnológica. A dopagem de cristais é feita para que se desenvolva um material com uma determinada característica eletrônica. Em cristais a resistividade elétrica é afetada sensivelmente por impurezas que lhe são adicionadas. O estudo da estrutura eletrônica e vibracional do silício cúbico dopado permite predizer informações sobre o sistema que está sendo analisado. Neste trabalho será feita a caracterização teórica das propriedades físicas do silício cúbico dopado por meio de métodos ab initio e métodos semi-empíricos.