SIMULAÇÃO DA ESTRUTURA ELETRÔNICA E VIBRACIONAL DE SI CÚBICO DOPADO

Autores

  • Kalyana Gianello Santini
  • Adriano Manoel dos Santos

Resumo

Semicondutores são sólidos que no estado fundamental apresentam os estados de energia da banda de valência totalmente preenchidos. O estudo deste tipo de material pode ser utilizado para o desenvolvimento de novos materiais para a indústria tecnológica. A dopagem de cristais é feita para que se desenvolva um material com uma determinada característica eletrônica. Em cristais a resistividade elétrica é afetada sensivelmente por impurezas que lhe são adicionadas. O estudo da estrutura eletrônica e vibracional do silício cúbico dopado permite predizer informações sobre o sistema que está sendo analisado. Neste trabalho será feita a caracterização teórica das propriedades físicas do silício cúbico dopado por meio de métodos ab initio e métodos semi-empíricos.

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Publicado

2015-10-16

Como Citar

Santini, K. G., & dos Santos, A. M. (2015). SIMULAÇÃO DA ESTRUTURA ELETRÔNICA E VIBRACIONAL DE SI CÚBICO DOPADO. ANAIS DO ENIC, 1(2). Recuperado de https://anaisonline.uems.br/index.php/enic/article/view/1352

Edição

Seção

CIÊNCIAS EXATAS E DA TERRA

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