CÁLCULO DAS PROPRIEDADES ELETRÔNICAS DO SILÍCIO

Kalyana G. Santini, Adriano M. Santos

Resumo


O silício é o segundo elemento mais abundante da crosta terrestre e é largamente empregado como material semicondutor porque mantém sua característica mesmo a altas temperaturas. Neste projeto realizamos simulações com o intuito de estudar as propriedades eletrônicas do silício em sua estrutura cúbica de face centrada para compará-las com a literatura. Através de um método ab initio, o Density Functional Theory permitiu obter
resultados sobre a distribuição de cargas, a densidade de estados, a estrutura de banda e otimização do volume. Também verificamos que os resultados obtidos através do software
foram satisfatórios.

Palavras-chave: silício, densidade, density functional theory, simulação.

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