CÁLCULO DAS PROPRIEDADES ELETRÔNICAS DO SILÍCIO

Autores

  • Kalyana G. Santini
  • Adriano M. Santos

Resumo

O silício é o segundo elemento mais abundante da crosta terrestre e é largamente empregado como material semicondutor porque mantém sua característica mesmo a altas temperaturas. Neste projeto realizamos simulações com o intuito de estudar as propriedades eletrônicas do silício em sua estrutura cúbica de face centrada para compará-las com a literatura. Através de um método ab initio, o Density Functional Theory permitiu obter resultados sobre a distribuição de cargas, a densidade de estados, a estrutura de banda e otimização do volume. Também verificamos que os resultados obtidos através do software foram satisfatórios. Palavras-chave: silício, densidade, density functional theory, simulação.

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Publicado

2015-10-14

Como Citar

Santini, K. G., & Santos, A. M. (2015). CÁLCULO DAS PROPRIEDADES ELETRÔNICAS DO SILÍCIO. ANAIS DO ENIC, 1(1). Recuperado de https://anaisonline.uems.br/index.php/enic/article/view/1026

Edição

Seção

CIÊNCIAS EXATAS E DA TERRA

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