CARACTERIZAÇÃO TEÓRICA DO COMPORTAMENTO DOS FÔNONS EM GAMA DO INGAAS CÚBICO (ANAIS DO ENIC, 2015)
Os compostos InAs, AlAs e GaAs são binários de estrutura cristalina comumente utilizados  como  materiais  de  substrato  no  crescimento  epitaxial  de semicondutores,  como  o  índio  arseneto  de  gálio  (InGaAs);  arseneto  de  gálio alumínio  (AlGaAs);  entre  outros,  para  a  fabricação  de  dispositivos optoeletrônicos. Quando comparados com os dispositivos feitos à base de silício, os arsenetos podem apresentar vantagens em suas propriedades eletrônicas. O objetivo  deste  trabalho  é  o  estudo  das  propriedades  vibracionais  de  tais compostos, através da utilização da Teoria Clássica do Cristal Harmônico. Tal teoria, juntamente com métodos como o Valence Force Field e a Soma de Ewald permitem  a determinação  da  matriz  dinâmica,  estabelecendo  assim,  o comportamento  vibracional  dos  arsenetos  binários  e  das  ligas  ternárias.  Um método  semi-empírico  é  apresentado  e  comparado  com  outros  métodos conhecidos, como o “Random Element Isodisplacement”, como alternativa para obtenção da descrição do comportamento de vibração da liga. Foram analisados e  interpretados  dados  experimentais  disponíveis  na  literatura  relativos  às propriedades vibracionais para os binários GaAs, InAs e o ternário InGaAs.