CÁLCULO DAS PROPRIEDADES ELETRÔNICAS DO SILÍCIO (ANAIS DO ENIC, 2015)
O silício é o segundo elemento mais abundante da crosta terrestre e é largamente empregado como material semicondutor porque mantém sua característica mesmo a altas temperaturas. Neste projeto realizamos simulações com o intuito de estudar as propriedades eletrônicas do silício em sua estrutura cúbica de face centrada para compará-las com a literatura. Através de um método ab initio, o Density Functional Theory permitiu obter resultados sobre a distribuição de cargas, a densidade de estados, a estrutura de banda e otimização do volume. Também verificamos que os resultados obtidos através do software foram satisfatórios. Palavras-chave: silício, densidade, density functional theory, simulação.